SRAS2060HRNG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.7 V、正向浪涌电流（Ifsm） 330 A，采用 TO-263AB-3 封装。
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芯片技术资料
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SRS2060
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 125 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 D2PAK-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSRS2060 RN
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 D2PAK-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSRS2060 RNG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.7 V、正向浪涌电流（Ifsm） 200 A，采用 TO-263AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSRS2060H
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSRS2060HRN
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.7 V、正向浪涌电流（Ifsm） 200 A，采用 TO-263AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSRS2060HRNG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.7 V、正向浪涌电流（Ifsm） 200 A，采用 TO-263AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSTPS2060
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTPS2060CDGN
Texas Instruments
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 4.5～5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 1.5 A、类型 High Side、输出数 2 Output，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - Power DistributionTPS2060CDGNR
Texas Instruments
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 4.5～5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 1.5 A、类型 High Side、输出数 2 Output，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - Power Distribution