RS1D-T R3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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RS1DB-13-F
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DFA
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 800 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-123FA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DFA
onsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 800 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-123FA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DFL RVG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.91 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-123FL-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DFS MWG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.01 V at 1 A、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-128-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DFS MXG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.01 V at 1 A、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-128-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DFSHMWG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.01 V at 1 A、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-128-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DFSHMXG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.01 V at 1 A、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-128-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DHE3_A/H
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC 封装。
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