MMSZ5235BS_R1_00001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323-2 封装。
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MMSZ5235BS_R1_10001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5235BS_R2_00001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5235BS_R2_10001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5235BT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5235BT1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5235BT3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5235B_R1_00001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5235B_R1_10001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ5235B_R2_00001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
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