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原厂资料

4 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
MMBT3904-7-F-79Diodes Incorporated
  • MMBT3904-7-F
2026-05-05查看资料
MMBT3904T-7-F-79Diodes Incorporated
  • MMBT3904T-7-F
2021-03-15查看资料
MMBT4124-7-FDiodes Incorporated
  • MMBT3904-7-F
2021-03-15查看资料
MMBT3904Tonsemi
  • MMBT3904TT1G
2019-07-16查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

48 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MMBT3904L3-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000028 oz。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MMBT3904LP-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 X1-DFN1006-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MMBT3904LP-7B

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 X1-DFN1006-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MMBT3904LT1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MMBT3904LT1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MMBT3904LT1HTSA1

Infineon Technologies

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MMBT3904LT1XT

Infineon Technologies

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MMBT3904LT3G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MMBT3904LT3G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MMBT3904Q-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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