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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
MMBT2907A	onsemi	MMBT2907ALT1G	2018-07-12	查看资料
MMBT2907A-7-F-31	Diodes Incorporated	MMBT2907A-7-F	2021-03-15	查看资料
MMBT2907A-7-F-79	Diodes Incorporated	MMBT2907A-7-F	2021-03-15	查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

36 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MMBT2907AT-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.6 V，采用 SOT-523-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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MMBT2907AT-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 400 mV，采用 SOT-523-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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MMBT2907AWT1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 4 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.6 V，采用 SC-70-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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MMBT2907AWT1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SC-70-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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MMBT2907AW_R1_00001

Panjit

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-323-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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MMBT2907A_R1_00001

Panjit

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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AMMBT2907A-HF

Comchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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AMMBT2907AM-HF

Comchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-723-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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NSVMMBT2907AM3T5G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-723-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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NSVMMBT2907AM3T5G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-723-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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