MBR1060G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 TO-220-2 封装。
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原厂资料
2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| MBR1060CT-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR1060CT-LJ | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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MBR1060G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 950 mV，采用 TO-220-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR1060H
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR1060HC0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.063493 oz，采用 TO-220-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR1060S-BP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 TO-220AC-2 封装。
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