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原厂资料

13 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
MBR10200CT-LSDiodes Incorporated
  • MBR10200CTF-G1
2024-07-08查看资料
MBR10200CD-G1Diodes Incorporated
  • MBRD10200CT-13
2019-02-05查看资料
MBR10200CDTR-E1Diodes Incorporated
  • MBRD10200CT-13
2019-02-05查看资料
MBR10200CDTR-G1Diodes Incorporated
  • MBRD10200CT-13
2019-02-05查看资料
MBR10200CS2-E1Diodes Incorporated
  • MBRB10200CT-13
2019-02-05查看资料
MBR10200CS2-G1Diodes Incorporated
  • MBRB10200CT-13
2019-02-05查看资料
MBR10200CS2TR-E1Diodes Incorporated
  • MBRB10200CT-13
2019-02-05查看资料
MBR10200CS2TR-G1Diodes Incorporated
  • MBRB10200CT-13
2019-02-05查看资料
MBR10200CT-E1Diodes Incorporated
  • MBR10200CT-G1
2019-02-05查看资料
MBR10200CT-LJDiodes Incorporated
  • MBR10200CT-G1
2019-02-05查看资料
MBR10200CTF-E1Diodes Incorporated
  • MBR10200CTF-G1
2019-02-05查看资料
MBRF10200CT-JTDiodes Incorporated
  • MBR10200CTF-G1
2019-02-05查看资料
MBRF10200CT-LJDiodes Incorporated
  • MBR10200CTF-G1
2019-02-05查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

23 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MBR10200H

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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MBR10200HC0

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.063493 oz，采用 TO-220-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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MBR10200UPS-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V、正向电压（Vf） 0.88 V、正向浪涌电流（Ifsm） 180 A，采用 TO-277B-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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