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原厂资料

9 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
MBR10100CD-G1Diodes Incorporated
  • MBRD10100CT-13
2019-02-05查看资料
MBR10100CDTR-E1Diodes Incorporated
  • MBRD10100CT-13
2019-02-05查看资料
MBR10100CDTR-G1Diodes Incorporated
  • MBRD10100CT-13
2019-02-05查看资料
MBR10100CS2-G1Diodes Incorporated
  • MBRB10100CT
2019-02-05查看资料
MBR10100CS2TR-G1Diodes Incorporated
  • MBRB10100CT
2019-02-05查看资料
MBR10100CT-E1Diodes Incorporated
  • MBR10100CT-G1
2019-02-05查看资料
MBR10100CT-LJDiodes Incorporated
  • MBR10100CT-G1
2019-02-05查看资料
MBR10100CTF-E1Diodes Incorporated
  • MBR10100CTF-G1
2019-02-05查看资料
MBR10100CTLDiodes Incorporated
  • MBR10100CT-G1
2019-02-05查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

32 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MBR10100CTHC0

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.063493 oz,采用 TO-220-3 封装。

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MBR10100F-BP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 10 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V、正向电压(Vf) 850 mV、反向电流(Ir) 100 uA,采用 ITO-220-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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MBR10100FCT-BP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 10 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V、正向电压(Vf) 850 mV、反向电流(Ir) 100 uA,采用 ITO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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MBR10100FCTH-BP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 10 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V、正向电压(Vf) 800 mV、反向电流(Ir) 10 uA,采用 ITO-220-3 封装。

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MBR10100G

ON Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 10 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V,采用 TO-220-2 封装。

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MBR10100G

onsemi

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流(If) 10 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V、正向电压(Vf) 950 mV,采用 TO-220-2 封装。

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MBR10100H

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾。

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MBR10100HC0

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.063493 oz,采用 TO-220-2 封装。

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MBR10100HC0G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 10 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V、正向电压(Vf) 0.85 V、正向浪涌电流(Ifsm) 150 A,采用 TO-220AC-2 封装。

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MBR10100MFST1G

ON Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 10 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V、正向电压(Vf) 800 mV、正向浪涌电流(Ifsm) 150 A,采用 SO-8 封装。

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