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LC651104N-4M93-E	onsemi	LC872H08A	查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

35 个原型号

原型号

93AA46CT-I/MS

Microchip Technology

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M93C46-WDW6TPSTMicroelectronics相似型号

原型号

93AA56C-I/MS

Microchip Technology

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M93C56-RDW6TPSTMicroelectronics相似型号

原型号

93C46BT-I/SN

Microchip Technology

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M93S46-WMN6TPSTMicroelectronics相似型号

原型号

93C66CT-I/MC

Microchip Technology

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M93C66-RMC6TGSTMicroelectronics相似型号

原型号

93C66CT-I/ST

Microchip Technology

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M93C66-WDW6TPSTMicroelectronics相似型号

原型号

93C86CT-I/ST

Microchip Technology

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M93C86-WDW6TPSTMicroelectronics相似型号

原型号

93LC46BXT/SN

Microchip Technology

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M93S46-WMN6TPSTMicroelectronics相似型号

原型号

93LC46CX-E/SN

Microchip Technology

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M93C46-WMN6PSTMicroelectronics相似型号

原型号

93LC46CX-I/SN

Microchip Technology

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M93C46-WMN6PSTMicroelectronics相似型号

原型号

93LC66BT-I/SN

Microchip Technology

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M93S66-WMN6TPSTMicroelectronics相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

124 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

M93C76-RDW3TP/K

STMicroelectronics

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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M93C76-RDW6TP

STMicroelectronics

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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M93C76-RMN3TP/K

STMicroelectronics

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SO-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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M93C76-WMN6TP

STMicroelectronics

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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M93C86-RDW3TP/K

STMicroelectronics

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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M93C86-RMN3TP/K

STMicroelectronics

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SO-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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M93C86-WDW6TP

STMicroelectronics

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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M93C86-WMN6P

STMicroelectronics

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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M93C86-WMN6TP

STMicroelectronics

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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M93S46-WMN6P

STMicroelectronics

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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