CS4352-CZZ
Cirrus Logic Inc.
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- WM8523GEDTCirrus Logic Inc.相似型号
技术资料参考
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Diodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 45 V、集电极-基极电压(VCBO) - 50 V、发射极-基极电压(VEBO) - 5 V、集电极-发射极饱和电压 - 400 mV,采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNexperia
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、耗散功率(Pd) 200 mW、增益带宽积(fT) 175 MHz、最小工作温度 - 55 C,采用 SOT-363 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNexperia
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V、发射极-基极电压(VEBO) 7 V,采用 TSSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNexperia
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V、发射极-基极电压(VEBO) 7 V,采用 TSSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNexperia
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 45 V、集电极-基极电压(VCBO) - 50 V、发射极-基极电压(VEBO) - 5 V、最大直流集电极电流 - 200 mA,采用 SOT-666-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNexperia
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、认证等级 AEC-Q101,采用 SOT-666-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTDiodes Incorporated
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 45 V、集电极-基极电压(VCBO) - 50 V、发射极-基极电压(VEBO) - 5 V、集电极-发射极饱和电压 - 200 mV,采用 SOT-563-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNexperia
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A,采用 SOT-457-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNexperia
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A,采用 SOT-457-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNexperia
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669868115。
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