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- LM7912CT/NOPBTexas Instruments相似型号
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- LM7912CT/NOPBTexas Instruments参数相近
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- LM79L05ACMX/NOPBTexas Instruments相似型号
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Texas Instruments
- LM79L15ACMX/NOPBTexas Instruments参数相近
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Texas Instruments
- MC7915ACTGonsemi相似型号
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- LM7912CT/NOPBTexas Instruments相似型号
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- LM7915CT/NOPBTexas Instruments相似型号
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- LM79L05ACZ/NOPBTexas Instruments相似型号
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- LM79L05ACZ/NOPBTexas Instruments相似型号
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- LM79L12ACMX/NOPBTexas Instruments相似型号
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
LM79L12ACM/NOPB
Texas Instruments
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 - 12 V、输出电流 100 mA、工作温度范围 0 C to + 70 C、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Negative，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage RegulatorsLM79L12ACMX/NOPB
Texas Instruments
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 - 12 V、输出电流 100 mA、工作温度范围 0 C to + 70 C、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Negative，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage RegulatorsLM79L12ACZ/LFT4
Texas Instruments
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 - 12 V、输出电流 100 mA、工作温度范围 0 C to + 70 C、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Negative，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage RegulatorsLM79L12ACZ/NOPB
Texas Instruments
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 - 12 V、输出电流 100 mA、工作温度范围 0 C to + 70 C、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Negative，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage RegulatorsLM79L15ACM
Texas Instruments
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 - 15 V、输出电流 100 mA、工作温度范围 0 C to + 70 C、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Negative，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage RegulatorsLM79L15ACM/NOPB
Texas Instruments
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 - 15 V、输出电流 100 mA、工作温度范围 0 C to + 70 C、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Negative，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage RegulatorsLM79L15ACMX/NOPB
Texas Instruments
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 - 15 V、输出电流 100 mA、工作温度范围 0 C to + 70 C、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Negative，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage RegulatorsMT29F2G01ABAGDM79A3WC1
Micron
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND FlashMT29F2G01ABAGDM79A3WC1L
Micron
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 G x 1、数据总线宽度 1 位，采用 Die 封装。
半导体 > 集成电路 > Memory ICs > NAND FlashMT29F2G01ABBGDM79A3WC1
Micron
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash