V7N3M63HM3/I
Vishay
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 7 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 590 mV，采用 DFN-33A-5 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
V7NM63HM3/H
Vishay
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 7 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 590 mV，采用 DFN-3820A-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersV7NM63HM3/I
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 175 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 7 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 DFN-3820A-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersV8PM63HM3/H
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 175 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 8 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 TO-277A-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersV8PM63HM3/I
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 175 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 8 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 TO-277A-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersV9N3M63HM3/I
Vishay
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 9 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 580 mV，采用 DFN-33A-5 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersVSSAF5M63HM3/H
Vishay
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 175 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 2.6 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 DO-221AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersVSSAF5M63HM3/I
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 175 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 5 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 DO-221AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers