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原厂资料

3 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号资料
NSR0130M2T5Gonsemi
  • NSR0130P2T5G
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NSR0140M2T5Gonsemi
  • NSR0140P2T5G
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NSR0230M2T5Gonsemi
  • NSR0230P2T5G
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技术资料参考

芯片技术资料

31 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

S-882144APH-M2TTFU

ABLIC

该型号为开关稳压器。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage Regulators
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SH8M2TB1

ROHM Semiconductor

主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 3.5 A,采用 SOP-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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SM2T18A

STMicroelectronics

该型号为二极管,主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、击穿电压 17.1 V、工作电压 16 V、钳位电压 26 V、最小工作温度 - 65 C,采用 DO-216AA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors
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SM2T3V3A

STMicroelectronics

该型号为二极管,主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、击穿电压 3.6 V、工作电压 3.3 V、钳位电压 6.8 V、最小工作温度 - 65 C,采用 DO-216AA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors
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SM2T6V8A

STMicroelectronics

该型号为二极管,主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、击穿电压 6.4 V、工作电压 5 V、钳位电压 9.2 V、最小工作温度 - 65 C,采用 DO-216AA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors
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STIB1060DM2T-L

STMicroelectronics

该型号为半导体器件,主要参数包括工作电源电压 450 V、类型 3-Phase Inverter、产品 Power MOSFET Modules、正向电压(Vf) 0.98 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C,采用 SDIP2B-26L 封装。

半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor Modules
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STIB1060DM2T-LZ

STMicroelectronics

主要参数包括技术 Si。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET Modules
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STIB1560DM2T-L

STMicroelectronics

该型号为半导体器件,主要参数包括工作电源电压 450 V、类型 3-Phase Inverter、产品 Power MOSFET Modules、正向电压(Vf) 0.98 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C,采用 SDIP2B-26L 封装。

半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor Modules
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STIB1560DM2T-LZ

STMicroelectronics

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET Modules
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TT8M2TR

ROHM Semiconductor

主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V, 20 V、连续漏极电流(Id) 2.5 A,采用 TSST-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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