TBS610 M1G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 6 A、配置 Quad、正向电压（Vf） 0.96 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TBS-4 封装。
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芯片技术资料
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ZHL-10M1G01W0+
Mini-Circuits
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 10 MHz to 1 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 900 mA。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierZHL-10M1G01W0X+
Mini-Circuits
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 10 MHz to 1 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 900 mA。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierZHL-10M1G01W1+
Mini-Circuits
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 10 MHz to 1 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1 A。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierZHL-10M1G01W1X+
Mini-Circuits
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 10 MHz to 1 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1 A。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierZHL-10M1G21W0+
Mini-Circuits
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 10 MHz to 1.2 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 900 mA。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierZHL-10M1G21W0X+
Mini-Circuits
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 10 MHz to 1.2 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 900 mA。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier