DTA143XKAT146
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.476、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SC-59-3 封装。
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DTA143ZKAT146
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SC-59-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedDTA144EKAT146
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 - 30 mA，采用 SC-59-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedDTA144GKAT146
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SC-59-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedDTA144TKAT146
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedDTA144VKAT146
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 4.8、最小直流电流增益（hfe） 33、连续集电极电流 100 mA。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedDTA144WKAT146
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 100 mA，采用 $0.057 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedDTC113ZKAT146
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 33、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-59-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedDTC114ECAT116
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SST-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedDTC114EKAT146
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 50 mA，采用 SC-59-3 封装。
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