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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
PI7C9X20303ULAZPEX	Diodes Incorporated	PI7C9X2G304EVAZXAEX	2026-01-22	查看资料
IHCM2321AAEG301N10	Vishay	ICMS2321AGEG281N10	2025-09-11	查看资料
G30H150CTFW	Diodes Incorporated	SDT30150GCTSP	2022-08-29	查看资料
G30H150CTW	Diodes Incorporated	SDT30150GCT	2022-08-29	查看资料
RHRG1560CC-F085	onsemi	RURG3060CC-F085	2021-04-08	查看资料
CG10167AA	Infineon	CY62147G30-45BVXA		查看资料
CG10167AAT	Infineon	CY62147G30-45BVXA		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

26 个原型号

原型号

CG8556AA

Infineon Technologies

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY62162G30-45BGXIT

Infineon Technologies

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CY62162G18-55BGXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY7C10612GE30-10ZSXI

Infineon Technologies

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

CY7C10612G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY7S1041G30-10VXI

Infineon Technologies

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AS7C34098A-10JINAlliance Memory, Inc.相似型号

原型号

CY7S1061G30-10ZXIT

Infineon Technologies

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CY7S1061GE30-10ZXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

DG300BDJ

Vishay Siliconix

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DG300ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号

原型号

DG302AAK/883

Vishay Siliconix

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DG302AAK/883BAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选

原型号

DG307AAK/883

Vishay Siliconix

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DG307ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号

原型号

DG308BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

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DG408DQ-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐

原型号

DG308BDY

Vishay Siliconix

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DG308BDY-E3Vishay Siliconix参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

765 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

CY62146G30-45BVXI

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.2 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、存储组织结构 256 k x 16，采用 VFBGA-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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CY62146G30-45BVXI

Infineon Technologies

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.2 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、存储组织结构 256 k x 16，采用 VFBGA-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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CY62146G30-45BVXIT

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.2 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、存储组织结构 256 k x 16，采用 VFBGA-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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CY62146G30-45BVXIT

Infineon Technologies

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.2 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、存储组织结构 256 k x 16，采用 VFBGA-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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CY62146G30-45ZSXA

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.2 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、存储组织结构 256 k x 16，采用 TSOP-44 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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CY62146G30-45ZSXA

Infineon Technologies

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.2 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、存储组织结构 256 k x 16，采用 TSOP-44 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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CY62146G30-45ZSXAT

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.2 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、存储组织结构 256 k x 16，采用 TSOP-44 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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CY62146G30-45ZSXAT

Infineon Technologies

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.2 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、存储组织结构 256 k x 16，采用 TSOP-44 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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CY62146G30-45ZSXI

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.2 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、存储组织结构 256 k x 16，采用 TSOP-44 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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CY62146G30-45ZSXI

Infineon Technologies

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.2 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、存储组织结构 256 k x 16，采用 TSOP-44 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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