ES3DBHR5G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 140 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.86 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AA-2 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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ES3DC-HF
Comchip Technology
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 90 A，采用 SMC/DO-214AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3DHE3J_A/I
Vishay / Siliconix
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、产品 Rectifiers、单件重量 0.007408 oz，采用 SMC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3DHE3J_A/I
Vishay Semiconductors
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、产品 Rectifiers、单件重量 0.007408 oz，采用 SMC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3DHE3_A/H
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 900 mV、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3DHE3_A/I
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 900 mV、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3DHM3_A/H
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Ultra Fast Rectifier、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 900 mV、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3DHM3_A/I
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 900 mV、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3DHR6
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3DHR6G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、配置 Single、认证等级 AEC-Q101、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers