ES2DA F2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC (SMA) 封装。
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ES2DA F2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2DA F3
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2DA F3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2DA R2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC (SMA) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2DA R2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2DA R3
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2DA R3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2DA-13-F
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 920 mV、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2DA-T M2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。
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