ES1D-HF
Comchip Technology
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA/DO-214AC 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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ES1D-LTP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、最大浪涌电流 30 A、反向电流（Ir） 5 uA，采用 DO-214AC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES1D-M3/5AT
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 920 mV、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES1D-M3/61T
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 920 mV、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES1D-M3\5AT
Vishay
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 920 mV、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES1D-M3\61T
Vishay
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 920 mV、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES1D-T M2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES1D-T R3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES1D-W
Rectron
主要参数包括产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES1DAF
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 950 mV、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214-2 封装。
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