原型号
查看详情 · 2 条候选S912XEA128J2CAAR
NXP USA Inc.
- S912XEG128J2CAARNXP USA Inc.参数相近
搜索结果
原厂资料
9 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| AR0237ATSC12XUEA0-DPBR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| AR0239ATSH00XUEA0-DPBR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| AR0239ATSH00XUEA0-TPBR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| ASX342ATSC00XPED0-DP | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| ASX342ATSC00XPED0-DR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| ASX350AT3C00XPEA0-DR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| MT9V128IA3XTC-TR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| AR0233ATSC17XUEA1-DPBR1 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
| AR0233ATSC17XUEA1-DRBR1 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 2 条候选S912XEG128J2CAAR
NXP USA Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- S912XEA128J2CAARNXP USA Inc.参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选S912XEG128W1MAA
NXP USA Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- S912XEA128J2MAANXP USA Inc.参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选SFEM008GB1EA1TO-I-GE-121-STD
Swissbit
- NSEC53T064-ITInsignis Technology Corporation相似型号
原型号
查看详情 · 2 条候选SFEM016GB1EA1TO-I-GE-111-STD
Swissbit
- SFEM016GB1EA1TO-I-GE-121-STDSwissbit直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选TEA1733CT/N1,118
NXP USA Inc.
- TEA1733T/N1,118NXP USA Inc.直接替代候选
原型号
查看详情 · 2 条候选TEA18362LT/1J
NXP USA Inc.
- TEA18362T/1JNXP USA Inc.参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选TEA1999TK/1J
NXP USA Inc.
- TEA1999TK/2JNXP USA Inc.直接替代候选
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
S912XEA128J2MAA
NXP Semiconductors
该型号为16 位微控制器（MCU），主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、型号别名 935314862556、单件重量 0.032999 oz，采用 Quote 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 16-bit Microcontrollers - MCUSFEM008GB1EA1TO-I-GE-111-E04
Swissbit
主要参数包括存储容量 8 GB、工作电源电压 2.7～3.6 V、配置 MLC、持续读取速率 250 MB/s、持续写入速率 90 MB/s、最小工作温度 - 40 C，采用 BGA-153 封装。
半导体 > Memory ICs > eMMCSFEM008GB1EA1TO-I-GE-111-STD
Swissbit
主要参数包括存储容量 8 GB、工作电源电压 2.7～3.6 V、配置 MLC、持续读取速率 175 MB/s、持续写入速率 21 MB/s、最小工作温度 - 40 C。
半导体 > Memory ICs > eMMCSFEM008GB1EA1TO-I-GE-121-STD
Swissbit
主要参数包括存储容量 8 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 eMMC 5.0、配置 MLC、顺序读取速率 175 MB/s，采用 BGA-153 封装。
半导体 > Memory ICs > eMMCSFEM008GB1EA1TO-I-GE-12P-STD
Swissbit
主要参数包括存储容量 8 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 eMMC 5.0、配置 PSLC、顺序读取速率 178 MB/s，采用 BGA-153 封装。
半导体 > Memory ICs > eMMCSFEM016GB1EA1TO-I-GE-111-E08
Swissbit
主要参数包括存储容量 16 GB、工作电源电压 2.7～3.6 V、配置 MLC、持续读取速率 250 MB/s、持续写入速率 90 MB/s、最小工作温度 - 40 C，采用 BGA-153 封装。
半导体 > Memory ICs > eMMCSFEM016GB1EA1TO-I-GE-111-STD
Swissbit
主要参数包括存储容量 16 GB、工作电源电压 2.7～3.6 V、配置 MLC、持续读取速率 175 MB/s、持续写入速率 21 MB/s、最小工作温度 - 40 C。
半导体 > Memory ICs > eMMCSFEM016GB1EA1TO-I-GE-121-STD
Swissbit
主要参数包括存储容量 16 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 eMMC 5.0、配置 MLC、顺序读取速率 175 MB/s，采用 BGA-153 封装。
半导体 > Memory ICs > eMMCSFEM016GB1EA1TO-I-LF-12P-STD
Swissbit
主要参数包括存储容量 16 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 eMMC 5.0、配置 PSLC、顺序读取速率 178 MB/s，采用 BGA-153 封装。
半导体 > Memory ICs > eMMCSFEM032GB1EA1TO-I-HG-12P-STD
Swissbit
主要参数包括存储容量 32 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 eMMC 5.0、配置 PSLC、顺序读取速率 178 MB/s，采用 BGA-153 封装。
半导体 > Memory ICs > eMMC