DS2502R+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1024 位、电源电压（最大值） 12 V、电源电压（最小值） 2.8 V、存储组织结构 1 k x 1、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOT-23-3 封装。
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芯片技术资料
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DS2502S+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2502S+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2502S+T&R
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2502S+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2502X1+
Maxim Integrated
EPROM ADD-O MEM1-1KB CSP LF T&R (GENERIC)
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2502X1+U
Maxim Integrated
采用 WLP-4 封装。
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