DS2431P-A1+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4，采用 TSOC-6 封装。
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芯片技术资料
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DS2431Q+T&R
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 4、最小工作温度 - 40 C，采用 TDFN-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS2431Q+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4、数据保持时间 40 Year，采用 TDFN-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS2431Q+U
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 2.8～5.25 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 4，采用 TDFN-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS2431X+U
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5.25 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 4，采用 UCSP-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS2431X-S+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5.25 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 4，采用 UCSP-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMDS2431X-S+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4，采用 UCSP-6 封装。
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