原型号
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Infineon Technologies
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
DCG130X1200NA
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括配置 Dual、正向电流（If） 105 A、重复反向电压（Vrrm） 1.2 kV、正向电压（Vf） 1.6 V、正向浪涌电流（Ifsm） 1.15 kA、反向电流（Ir） 140 uA，采用 SOT-227B-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > SiC Schottky DiodesDCG160X650NA
IXYS
该型号为二极管，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、产品 Schottky Silicon Carbide Diodes，采用 SOT-227B-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDCG160X650NA
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 韩国，采用 SOT-227B-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > SiC Schottky DiodesDCG17P1200HR
IXYS
该型号为二极管，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、产品 Schottky Silicon Carbide Diodes、正向电流（If） 31.7 A、重复反向电压（Vrrm） 1200 V、正向电压（Vf） 1.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 1000 A，采用 ISO247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDCG17P1200HR
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括配置 Series、正向电流（If） 31.7 A、重复反向电压（Vrrm） 1.2 kV、正向电压（Vf） 1.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 1 kA、反向电流（Ir） 35 uA，采用 ISO247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > SiC Schottky DiodesM2GL150-1FCG1152
Microchip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括湿敏性 是、商品名称 IGLOO2。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayM2GL150-1FCG1152
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 IGLOO2，采用 BGA-1152 封装。
半导体 > 集成电路 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayM2GL150-1FCG1152I
Microchip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括湿敏性 是、商品名称 IGLOO2。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayM2GL150-1FCG1152I
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 4.88 Mbit、输入／输出数 574 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、数据速率 667 Mb/s、逻辑单元数 146124 LE，采用 BGA-1152 封装。
半导体 > 集成电路 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayM2GL150-FCG1152
Microchip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括湿敏性 是、商品名称 IGLOO2。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array