BZX84C9V1DBZRQ1
Texas Instruments
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 430 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 200 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。
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芯片技术资料
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BZX84C9V1HE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1LFHT116
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压温度系数 6.9 mV/C、稳压管电流 5 mA、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1LT116
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压温度系数 5.4 mV/C、稳压管电流 0.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1LT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 6 %、电压温度系数 5.4 mV/K、稳压管电流 10 mA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1LT1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1LT3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 6 %、电压温度系数 5.4 mV/K、稳压管电流 10 mA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω，采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1LT3G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1LYFHT116
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 6 %、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1LYT116
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 6 %、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23-3 封装。
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