BZT52C2V4Q-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000353 oz，采用 SOD-123-2 封装。
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BZT52C2V4S
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 45 uA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4S R9G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 5 mA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4S RR
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 45 uA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4S RRG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4S-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压温度系数 - 3.5 mV/C、稳压管电流 50 uA、稳压管阻抗（Zz） 600 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4S-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 - 1.75 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 85 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4SHE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000141 oz，采用 SOD-323 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4SL-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 300 mW、最大反向漏电流（Ir） 50 uA、稳压管阻抗（Zz） 85 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C2V4SQ-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压温度系数 - 3.5 mV/C、稳压管电流 50 uA、稳压管阻抗（Zz） 600 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
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