BZT52C20LP-7
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 6 %、电压温度系数 16.2 mV/C、稳压管电流 5 mA、稳压管阻抗（Zz） 55 Ω，采用 DFN1006-2 封装。
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芯片技术资料
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BZT52C20LS-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C20Q-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 6 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 55 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C20S
Rectron
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压温度系数 18 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 55 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C20S R9G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 5 mA、稳压管阻抗（Zz） 55 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C20S RR
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 0.045 uA、稳压管阻抗（Zz） 55 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C20S RRG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C20S-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压温度系数 14.4 mV/C、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 225 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C20S-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 16.2 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 50 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52C20SHE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000141 oz。
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