MBR10200CTHC0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.063493 oz，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers搜索结果
原厂资料
18 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SBR10200CTB | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| MBR10200CT-LS | Diodes Incorporated |
| 2024-07-08 | 查看资料 |
| SBR10200CTFP-2084 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR10200CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10200CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| MBR1020VL | onsemi |
| 2020-04-01 | 查看资料 |
| MBR10200CD-G1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CDTR-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CDTR-G1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CS2-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CS2-G1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CS2TR-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CS2TR-G1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CT-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CT-LJ | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CTF-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBRF10200CT-JT | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBRF10200CT-LJ | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
MBR10200FCT-BP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V、正向电压（Vf） 0.92 V、正向浪涌电流（Ifsm） 125 A，采用 ITO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10200FCTH-BP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V、正向电压（Vf） 900 mV、反向电流（Ir） 10 uA，采用 ITO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10200FH-BP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、原产国家或地区 中国、单件重量 0.079014 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10200H
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10200HC0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.063493 oz，采用 TO-220-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR10200UPS-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V、正向电压（Vf） 0.88 V、正向浪涌电流（Ifsm） 180 A，采用 TO-277B-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR1020F-BP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 20 V、正向电压（Vf） 550 mV、反向电流（Ir） 100 uA，采用 ITO-220-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR1020LL_R1_00001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 20 V、正向电压（Vf） 670 mV。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR1020VL
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 20 V、正向电压（Vf） 340 mV，采用 SOD-123-2 封装。
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