BCP55T-QF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669939135。
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BCP55TA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 SOT-223-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCP55TF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SC-73-4 封装。
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