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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
SBC857BDW1T1G-M02	onsemi	SBC857BDW1T1G	2022-09-30	查看资料
DP0150ALP4-7	Diodes Incorporated	BC857BLP4-7B	2021-03-15	查看资料
DP0150ALP4-7B	Diodes Incorporated	BC857BLP4-7B	2021-03-15	查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

95 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BC857BFZ-7B

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 250 mV，采用 X2-DFN0606-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC857BH RFG

Taiwan Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC857BHE3-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区中国、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC857BHZGT116

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC857BL3-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-1006-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC857BLP-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 650 mV，采用 DFN1006-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC857BLP-7B

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 650 mV，采用 DFN1006-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC857BLP4-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 DFN-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC857BLP4-7B

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 650 mV，采用 DFN1006H4-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC857BLP4Q-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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