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43 条型号记录

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BC847AQ-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC847AQAZ

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 90 mV，采用 DFN-1010D-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC847AQB-QZ

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-1110D-3 封装。

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BC847AQBZ

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-1110D-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC847AQC-QZ

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 DFN-1412D-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC847AT-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV，采用 SOT-523-3 封装。

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BC847AT-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-523-3 封装。

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BC847AW

Diotec Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V, 5 V，采用 SOT-323 封装。

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BC847AW RF

Taiwan Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。

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BC847AW RFG

Taiwan Semiconductor

该型号为晶体管。

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