BAS116HYT116
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括频率范围 1 MHz、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 100 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 215 mA、配置 Single，采用 SOT-23-3 封装。
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芯片技术资料
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BAS116L-QYL
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、正向电流（If） 215 mA、配置 Single、恢复时间 0.8 us、正向电压（Vf） 1.1 V、反向电流（Ir） 3 pA。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesBAS116L2B-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 85 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 215 mA、配置 Single、恢复时间 3 us，采用 DFN-1006-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesBAS116LP3-7
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括产品 General Purpose Diodes、峰值反向电压 85 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 215 mA、配置 Single、恢复时间 120 ns，采用 X3-DFN0603-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAS116LPH4-7B
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 85 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 215 mA、恢复时间 3000 ns、正向电压（Vf） 1.25 V，采用 DFN-1006-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAS116LS-QYL
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 85 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 325 mA、配置 Single、恢复时间 3 us，采用 DFN-1006BD-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesBAS116LSYL
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 85 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 325 mA、配置 Single、恢复时间 3 us，采用 DFN-1006BD-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesBAS116LT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 75 V、最大浪涌电流 0.5 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Single，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAS116LT1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 75 V、最大浪涌电流 500 mA、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、恢复时间 3 us，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesBAS116LT3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 75 V、最大浪涌电流 0.5 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Single，采用 SOT-23-3 封装。
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