A5931GESTR-3-T
Allegro MicroSystems
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Allegro MicroSystems
主要参数包括电源电压(最小值) 5.5 V、电源电压(最大值) 50 V、输出电流 68 mA、技术 Si、类型 Full-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 QFN-20 封装。
半导体 > Power Management ICs > Gate DriversNXP Semiconductors
该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 30 MHz、最大工作频率 300 MHz、类型 Switch、反向电压(Vr) 35 V、最大二极管电容 0.9 pF、最大最大正向电流下串联电阻 500 mOhms,采用 SOD-523 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > PIN DiodesMACOM
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierIntel
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.47 V、电源电压(最小值) 950 mV、接口类型 SPI、数据速率 2.5 Gb/s, 3.2 Gb/s, 10 Gb/s, 12.8 Gb/s、产品 Ethernet Switches,采用 BGA-897 封装。
半导体 > 集成电路 > Communication & Networking ICs > Ethernet ICsTexas Instruments
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3~12 V、每通道输出电流 40 mA、放大器类型 Voltage Feedback,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational AmplifiersTexas Instruments
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3~12 V、增益带宽积(GBP) 125 MHz、压摆率(SR) 500 V/us,采用 SOT-23-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational AmplifiersTexas Instruments
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3~12 V、每通道输出电流 40 mA、放大器类型 Voltage Feedback,采用 SOT-23-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational AmplifiersTexas Instruments
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3~12 V、增益带宽积(GBP) 125 MHz、压摆率(SR) 500 V/us,采用 SOT-23-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational AmplifiersTexas Instruments
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3~12 V、增益带宽积(GBP) 125 MHz、压摆率(SR) 500 V/us,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational AmplifiersTexas Instruments
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 9 V、最大双电源电压 18 V、最小双电源电压 4.5 V、每通道输出电流 200 mA,采用 HVSSOP-8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps