ChipSourceHub 美芯科技

搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
SURA8120T3G	onsemi	NRVUA120VT3G	2021-07-07	查看资料
SURA8140T3G	onsemi	NRVUA140VT3G	2021-07-07	查看资料
SURA8160T3G	onsemi	NRVUA160VT3G	2021-07-07	查看资料
SBRA8160T3G	onsemi	SBRA8160NT3G	2020-02-21	查看资料
KSA812YMTF	onsemi	MSA1162GT1G	2019-07-16	查看资料
INA118P	Texas Instruments	INA818IDR INA818ID		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

2 个原型号

原型号

A8650KLYTR-T

Allegro MicroSystems

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

A81805KESJSRAllegro MicroSystems第三方标注：厂商推荐

原型号

HFA1110IBZ

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

VCA810AIDTexas Instruments相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

100 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

INA818IDR

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 20 mA、压摆率（SR） 0.9 V/us、共模抑制比（CMRR） 140 dB，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers

查看技术资料

INA818IDRG4

Texas Instruments

主要参数包括原产国家或地区马来西亚、湿敏性是。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers

查看技术资料

INA819ID

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、放大器类型 Precision、增益带宽积（GBP） 2 MHz、压摆率（SR） 0.9 V/us，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers

查看技术资料

INA819IDGKR

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、放大器类型 Precision Instrumentation Amplifier、输入类型 Differential、输出类型 Differential，采用 VSSOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers

查看技术资料

INA819IDGKT

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、放大器类型 Precision Instrumentation Amplifier、输入类型 Differential、输出类型 Differential，采用 VSSOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers

查看技术资料

INA819IDR

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、放大器类型 Precision、增益带宽积（GBP） 2 MHz、压摆率（SR） 0.9 V/us，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers

查看技术资料

INA819IDRGR

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 20 mA、3 dB 带宽 2 MHz、压摆率（SR） 900 mV/us，采用 SON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers

查看技术资料

INA819IDRGT

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 20 mA、3 dB 带宽 2 MHz、压摆率（SR） 900 mV/us，采用 SON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers

查看技术资料

INA819IDRGTG4

Texas Instruments

Instrumentation Amplifiers Low power (350-uA) p recision instrument

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers

查看技术资料

KBJA810-BP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 JB-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers

查看技术资料