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原厂资料

6 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
PT7A7514WEX-2017Diodes Incorporated
  • PT7A7514WEX
2025-06-16查看资料
NVG800A75L4DSBonsemi
  • NVG800A75L4DSB2
2023-03-30查看资料
NVG800A75L4DSConsemi
  • NVG800A75L4DSC2
2023-03-30查看资料
PT7A7514WEDiodes Incorporated
  • PT7A7514WEX
2023-01-31查看资料
HUFA75307T3STonsemi
  • NVR5198NLT1GORFDN5632N-F085
2021-12-20查看资料
HUFA75639S3STonsemi
  • NVMFS020N10MCL
2019-07-16查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

21 个原型号
原型号

IDT71V3557SA75BQG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 2 条候选
  • 71V3556SA166BQGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

IDT71V3577SA75BQI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • IS64LF12836EC-7.5B3LA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
原型号

IXD3263B755MR-G

Zilog

查看详情 · 3 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • IXD3263A755MR-GZilog参数相近
原型号

IXD3264B75DER-G

Zilog

查看详情 · 3 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • IXD3263A75DER-GZilog参数相近
原型号

PT7A7533WE

Diodes Incorporated

查看详情 · 1 条候选
  • STM708TAM6FSTMicroelectronics直接替代候选
原型号

SYA75603ATWL-TRVAO

Microchip Technology

查看详情 · 3 条候选
  • SY75603ATWL-TRMicrochip Technology参数相近
原型号

SYA75608TWL-TRVAO

Microchip Technology

查看详情 · 1 条候选
  • SY75608TWL-TRMicrochip Technology参数相近
原型号

TDA7560

STMicroelectronics

查看详情 · 1 条候选
  • E-TDA7560STMicroelectronics直接替代候选
原型号

XC6121A750MR-G

Torex Semiconductor Ltd

查看详情 · 19 条候选
  • XC6121C750MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

286 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

5P49V5901A759NLGI8

IDT

主要参数包括商品名称 VersaClock。

半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products
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AIMZA75R008M1HXKSA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 163 A，采用 TO-247-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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AIMZA75R016M1HXKSA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 89 A、漏源导通电阻（Rds On） 22 mOhms，采用 TO-247-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs
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AIMZA75R020M1HXKSA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 75 A、漏源导通电阻（Rds On） 27 mOhms，采用 TO-247-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs
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AIMZA75R027M1HXKSA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 60 A、漏源导通电阻（Rds On） 36 mOhms，采用 TO-247-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs
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AIMZA75R040M1HXKSA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 44 A、漏源导通电阻（Rds On） 52 mOhms，采用 TO-247-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs
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AIMZA75R060M1HXKSA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 32 A、漏源导通电阻（Rds On） 78 mOhms，采用 TO-247-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs
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AIMZA75R090M1HXKSA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 23 A、漏源导通电阻（Rds On） 117 mOhms，采用 TO-247-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs
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AIMZA75R140M1HXKSA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 16 A、漏源导通电阻（Rds On） 182 mOhms，采用 TO-247-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs
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APA750-BG456

Microchip / Microsemi

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 356 个输入／输出、工作电源电压 2.5 V、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最大工作频率 180 MHz、最小工作温度 0 C，采用 BGA-456 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array
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