原型号
查看详情 · 1 条候选7133SA70J8
Renesas Electronics Corporation
- 7133LA20JG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
搜索结果
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 2 条候选ALD1703PAL
Advanced Linear Devices Inc.
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- OPA705PATexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选CAT6241-ADJHU2MUTAG
onsemi
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- TPS7A7002DDARTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 11 条候选LM4819MX/NOPB
Texas Instruments
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 12 条候选LM4900M/NOPB
Texas Instruments
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 8 条候选LT1800CS5#TRM
Analog Devices Inc.
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- OPA703NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 8 条候选LT1800IS5#TR
Analog Devices Inc.
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- OPA703NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 28 条候选MC34119D
NXP USA Inc.
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 44 条候选OPA704NA/250G4
Texas Instruments
- OPA704NA/250Texas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 1 条候选SLA7075MR
Sanken Electric USA Inc.
- SLA7075MPRTSanken Electric USA Inc.第三方标注：厂商推荐
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
30KPA70A
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 78.2 V、工作电压 70 V、钳位电压 109 V、峰值脉冲电流（Ipp） 278 A，采用 P600-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors30KPA70CA
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 78.2 V、工作电压 70 V、钳位电压 109 V、峰值脉冲电流（Ipp） 278 A，采用 P600-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors6116LA70DB
IDT
主要参数包括高度 2.9 mm、长度 32 mm、宽度 15.24 mm、型号别名 6116 IDT6116LA70DB，采用 CDIP-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM6116LA70TDB
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM6116SA70DB
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM6116SA70TDB
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM6RY17000BA03
Siemens
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 德国。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Diode Modules7133LA70G
IDT
主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 PGA-68 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7133LA70GB
IDT
主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 PGA-68 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7133SA70G
IDT
主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 PGA-68 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM