原型号
查看详情 · 47 条候选AD711KRZ-REEL7
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- OPA637AU/2K5Texas Instruments相似型号
搜索结果
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 6 条候选OP90GSZ-REEL
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- OPA637AU/2K5Texas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 2 条候选TAS5414ATPHDQ1
Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- TPA6304QDDVRQ1Texas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 5 条候选TPS3703A5330DSER
Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- TPS3703A6330DSERTexas Instruments参数相近
原型号
查看详情 · 19 条候选XC6121A634ER-G
Torex Semiconductor Ltd
- XC6121C634ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
查看详情 · 19 条候选XC6121A639ER-G
Torex Semiconductor Ltd
- XC6121C639ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
查看详情 · 19 条候选XC6121C632ER-G
Torex Semiconductor Ltd
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- XC6121A632ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
查看详情 · 19 条候选XC6121C637ER-G
Torex Semiconductor Ltd
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- XC6121A637ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
查看详情 · 19 条候选XC6121D633ER-G
Torex Semiconductor Ltd
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- XC6121A633ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
查看详情 · 19 条候选XC6121D638ER-G
Torex Semiconductor Ltd
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- XC6121A638ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
MMBTA63LT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、最大直流集电极电流 500 mA，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMMSTA63-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-323 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPSA63
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 TO-92 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPSA63 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPSA63 APP PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPSA63 APP TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPSA63 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 IN、单件重量 0.016000 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPSA63 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、最大集电极截止电流 100 nA，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPSA63 TRA PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPSA63 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors