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原厂资料

2 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
HX2127011QDiodes Incorporated
  • HX2A27001Q
2024-11-14查看资料
FSAM75SM60SLonsemi
  • FNA27560/FNB35060T
2019-11-04查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

53 个原型号
原型号

ADA4896-2ARMZ-RL

Analog Devices Inc.

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  • OPA2703EA/250Texas Instruments相似型号
原型号

ALD2706APAL

Advanced Linear Devices Inc.

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  • OPA2705PATexas Instruments相似型号
原型号

INA271AIDG4

Texas Instruments

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  • INA271AIDRTexas Instruments第三方标注:厂商推荐
原型号

LM2904NG

onsemi

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  • OPA2705PATexas Instruments相似型号
原型号

LT1801IMS8

Analog Devices Inc.

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  • OPA2703EA/250Texas Instruments相似型号
原型号

LT1810IMS8#TRPBF

Analog Devices Inc.

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  • OPA2703EA/250Texas Instruments相似型号
原型号

MAX4494AUA+

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

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  • OPA2725AIDGKTTexas Instruments相似型号
原型号

OP07CSZ

Analog Devices Inc.

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  • OPA277U/2K5Texas Instruments相似型号
原型号

OP177FSZ-REEL

Analog Devices Inc.

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  • OPA277U/2K5Texas Instruments相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

417 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

CZTA27 TR TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 10 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、耗散功率(Pd) 2 W,采用 SOT-223-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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FNA27560

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括工作电源电压 15 V、输出电压 4.5 V、输出电流 75 A、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、类型 Motion SPM 2 Series、产品 Brushless DC Motor Controllers,采用 SPMCA-A34 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
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FQA27N25

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 250 V,采用 TO-3PN-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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INA270AID

Texas Instruments

主要参数包括电源电压(最大值) 18 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 2.7~18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、产品 Current Monitors、检测方式 High Side,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Current & Power Monitors & Regulators
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INA270AIDR

Texas Instruments

主要参数包括电源电压(最大值) 18 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 2.7~18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、类型 Current Shunt Monitor、产品 Current Monitors,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Current & Power Monitors & Regulators
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INA270AQDRQ1

Texas Instruments

主要参数包括电源电压(最大值) 18 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 2.7~18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、类型 Current Shunt Monitors、产品 Current Monitors,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Current & Power Monitors & Regulators
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INA271AID

Texas Instruments

主要参数包括电源电压(最大值) 18 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 2.7~18 V、产品 Current Monitors、检测方式 High Side、工作电源电流 950 uA,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Current & Power Monitors & Regulators
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INA271AIDG4

Texas Instruments

主要参数包括电源电压(最大值) 18 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 3 V, 5 V, 9 V, 12 V, 15 V、类型 Current Shunt Monitor、工作电源电流 950 uA、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Current & Power Monitors & Regulators
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INA271AIDR

Texas Instruments

主要参数包括电源电压(最大值) 18 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 2.7~18 V、产品 Current Monitors、检测方式 High Side、工作电源电流 950 uA,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Current & Power Monitors & Regulators
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INA271AQDRQ1

Texas Instruments

主要参数包括电源电压(最大值) 18 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 2.7~18 V、类型 Current Shunt Monitors、产品 Current Monitors、检测方式 High Side,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Current & Power Monitors & Regulators
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