S-1721A2512-I6T1U
ABLIC
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括单件重量 0.001058 oz，采用 SNT-6A-6 封装。
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S-1721A2515-I6T1U
ABLIC
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括单件重量 0.001058 oz，采用 SNT-6A-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsS-1721A2518-I6T1U
ABLIC
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括单件重量 0.001058 oz，采用 SNT-6A-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsS-1721A2518-M6T1U
ABLIC
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括单件重量 0.001058 oz，采用 SOT-23-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsTGA2512
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 5～15 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 13 dBm、增益 27 dB。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2512-1-SM
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 4～14.2 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 6 dBm、增益 25 dB，采用 QFN-13 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2512-1-SM T/R
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 4～14.2 GHz、类型 Balanced LNA、1 dB 压缩点（P1dB） 6 dBm、增益 22 dB，采用 QFN-13 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2512-2-SM
Qorvo
主要参数包括工作频率 4～14 GHz、增益 25 dB、噪声系数（NF） 2.3 dB、型号别名 1028121。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2514
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 8 V、电源电压（最大值） 9 V、工作频率 13～18 GHz、测试频率 13～18 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 2.87 mm x 3.9 mm 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2514N-FL
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 13～16 GHz、技术 GaAs、类型 Ku-Band Amplifier、增益 24 dB，采用 11.379 mm x 17.323 mm x 3.048 mm 封装。
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