MIC803-30D3VC3-TR
Microchip Technology
- MAX803SEXR/V+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
技术资料参考
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Macronix
主要参数包括最大时钟频率 70 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 WLCSP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMacronix
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 12 mA,采用 SOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMacronix
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 12 mA,采用 SOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMacronix
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 12 mA,采用 SOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMacronix
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 12 mA,采用 SOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMacronix
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 12 mA,采用 SOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMacronix
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 12 mA,采用 SOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMacronix
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 12 mA,采用 WSON-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMacronix
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 12 mA,采用 WSON-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMacronix
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、读取工作电流(最大值) 12 mA,采用 USON-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash