BQ298012RUGT
Texas Instruments
主要参数包括工作电源电压 1.5～5.5 V、输出电压 4.3 V、电池类型 Lithium-ion, Lithium Polymer、产品 Battery Protection、原产国家或地区 中国、最大工作温度 + 85 C，采用 X2QFN-8 封装。
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芯片技术资料
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C2M0080120D
Wolfspeed / Cree
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、类型 Silicon Carbide Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETC2M0280120D
Wolfspeed / Cree
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 10 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETCG2H80120D-GP4
Wolfspeed / Cree
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 8 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、晶体管极性 N-Channel、输出功率 120 W，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > 射频结型场效应晶体管CG2H80120D-GP4
MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括最大工作频率 8 GHz、最小工作频率 0 Hz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、晶体管极性 N-Channel、原产国家或地区 美国，采用 Die 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管CM8067702868012S R335
Intel
主要参数包括最大时钟频率 3.8 GHz、存储容量 64 GB、存储通道数 2 个通道、PCI Express 通道数 16 Lane、工作电源电压 1.35 V、睿频频率（最大值） 3.8 GHz，采用 FCLGA-1151 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing UnitsD3I8012
DiTom
主要参数包括频率 8～12.4 GHz、类型 Single Junction、接口性别 Female, Female、最小工作温度 - 30 C、最大工作温度 + 85 C、尺寸 0.86 in x 0.5 in x 0.98 in，采用 0.86 in x 0.5 in x 0.98 in 封装。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF IsolatorsD3I8012-1
DiTom
主要参数包括频率 8～12.4 GHz、类型 Single Junction、接口性别 Male, Female、最小工作温度 - 30 C、最大工作温度 + 85 C、尺寸 0.86 in x 0.5 in x 0.98 in，采用 0.86 in x 0.5 in x 0.98 in 封装。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF IsolatorsD3I8012-2
DiTom
主要参数包括频率 8～12.4 GHz、类型 Single Junction、接口性别 Female, Male、最小工作温度 - 30 C、最大工作温度 + 85 C、尺寸 0.86 in x 0.5 in x 0.98 in，采用 0.86 in x 0.5 in x 0.98 in 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > RF IsolatorsD3I8012-3
DiTom
主要参数包括频率 8～12.4 GHz、类型 Single Junction、接口性别 Male, Male、最小工作温度 - 30 C、最大工作温度 + 85 C、尺寸 0.86 in x 0.5 in x 0.98 in，采用 0.86 in x 0.5 in x 0.98 in 封装。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Isolators