DIO6821CQN6
DIOO Microcircuits
该型号为电源管理器件,主要参数包括工作电源电压 1.6~6.6 V、输入电压(最大值) 6.6 V、输入电压(最小值) 1.6 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、输入电流 50 nA,采用 DFN-6 封装。
半导体 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMIC技术资料参考
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DIOO Microcircuits
该型号为电源管理器件,主要参数包括工作电源电压 1.6~6.6 V、输入电压(最大值) 6.6 V、输入电压(最小值) 1.6 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、输入电流 50 nA,采用 DFN-6 封装。
半导体 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMICDIOO Microcircuits
该型号为电源管理器件,主要参数包括工作电源电压 1.6~6.6 V、输入电压(最大值) 6.6 V、输入电压(最小值) 1.6 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、输入电流 50 nA,采用 DFN-6 封装。
半导体 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMICON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 4.5~5.5 V、输出电流 60 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side,采用 PQFN-40 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 4.5~5.5 V、输出电流 55 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side,采用 PQFN-40 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 4.5~5.5 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side,采用 PQFN-40 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversMaxim Integrated
主要参数包括高电平输出电流 4 A、低电平输出电流 4 A、输入电压 4.75~28 V、电源电流(最大值) 5.5 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C,采用 TQFN-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting DriversMaxim Integrated
主要参数包括高电平输出电流 4 A、低电平输出电流 4 A、输入电压 4.75~28 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率(Pd) 2758 mW,采用 TQFN-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting DriversMaxim Integrated
主要参数包括高电平输出电流 4 A、低电平输出电流 4 A、输入电压 4.75~28 V、电源电流(最大值) 5.5 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C,采用 TQFN-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting DriversMaxim Integrated
主要参数包括高电平输出电流 4 A、低电平输出电流 4 A、输入电压 4.75~28 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率(Pd) 2758 mW,采用 TQFN-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting DriversMaxim Integrated
主要参数包括高电平输出电流 4 A、低电平输出电流 4 A、输入电压 4.75~28 V、电源电流(最大值) 5.5 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C,采用 TQFN-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting Drivers