MMBF5459
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） - 25 V、栅源电压为零时的漏源电流 6～13 mA，采用 SOT-23-3 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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SI5459DU-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、商品名称 TrenchFET、高度 0.75 mm、长度 3 mm、宽度 1.8 mm、型号别名 SI5459DU-GE3，采用 PowerPAK-ChipFET-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSI5459DU-T1-GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 8 A、漏源导通电阻（Rds On） 82 mOhms，采用 ChipFET-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsXeon E5-2658 v3 2.2GHz FCLGA2011
ADLINK Technology
CPU - Central Processing Units CPU, Xeon E5-2658 v3, 2.20GHz, 12-Core, 30MB SmartCache, Haswell, CM8064401545904 SR1XV, Step:M1, MM# 935852
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