R1180N261B-TR-FE
Nisshinbo Micro Devices Inc.
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- R1114N261D-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.参数相近
技术资料参考
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ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V,采用 SMD-DIP-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V,采用 PDIP-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersRicoh Electronic Devices Company
该型号为低压差线性稳压器(LDO),采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsRicoh Electronic Devices Company
该型号为低压差线性稳压器(LDO),采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsRicoh Electronic Devices Company
该型号为低压差线性稳压器(LDO),采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsRicoh Electronic Devices Company
采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching ControllersRicoh Electronic Devices Company
采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsRicoh Electronic Devices Company
主要参数包括电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 750 mV、类型 Voltage Supervisory、输出类型 CMOS, Open Drain、阈值电压 2.63 V、监控输入数 1 Input,采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsNisshinbo
主要参数包括电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 750 mV、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Open Drain、阈值电压 2.63 V、监控输入数 1 Input,采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsNisshinbo
主要参数包括电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 850 mV、类型 Voltage Detector、输出类型 CMOS、阈值电压 2.63 V、监控输入数 1 Input,采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > Power Management ICs > Supervisory Circuits