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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

2 个原型号
原型号

R1180N261B-TR-FE

Nisshinbo Micro Devices Inc.

查看详情 · 3 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • R1114N261D-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

33 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

4N26SR2M

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V,采用 SMD-DIP-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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4N26TVM

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V,采用 PDIP-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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R1114N261A-TR-FE

Ricoh Electronic Devices Company

该型号为低压差线性稳压器(LDO),采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
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R1114N261B-TR-FE

Ricoh Electronic Devices Company

该型号为低压差线性稳压器(LDO),采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
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R1114N261D-TR-FE

Ricoh Electronic Devices Company

该型号为低压差线性稳压器(LDO),采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
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R1224N262F-TR-FE

Ricoh Electronic Devices Company

采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Controllers
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R3114N261A-TR-FE

Ricoh Electronic Devices Company

采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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R3134N26EA3-TR-FE

Ricoh Electronic Devices Company

主要参数包括电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 750 mV、类型 Voltage Supervisory、输出类型 CMOS, Open Drain、阈值电压 2.63 V、监控输入数 1 Input,采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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R3134N26EA3-TR-FE

Nisshinbo

主要参数包括电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 750 mV、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Open Drain、阈值电压 2.63 V、监控输入数 1 Input,采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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R3134N26EC3-TR-FE

Nisshinbo

主要参数包括电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 850 mV、类型 Voltage Detector、输出类型 CMOS、阈值电压 2.63 V、监控输入数 1 Input,采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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