RN2307,LXHF
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80 at - 10 mA, - 5 V，采用 SC-70-3 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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SI2307-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 2.7 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSI2307BDS-T1-E3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 2.5 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSI2307BDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、商品名称 TrenchFET、高度 1.45 mm、长度 2.9 mm、宽度 1.6 mm、型号别名 SI2307BDS-GE3，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSI2307CDS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 3.5 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSI2307CDS-T1-E3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 3.5 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSI2307CDS-T1-E3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 3.5 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSI2307CDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 3.5 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSI2307CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 3.5 A，采用 SOT-23-3 封装。
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Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
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