1N4746A-T50A
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 20 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
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1N4746A-TAP
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 1.3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 20 Ω、最大工作温度 + 175 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4746A-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 20 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41G-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4746A-TR
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 1.3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 20 Ω、最大工作温度 + 175 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4746A/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 50 mA、稳压管阻抗（Zz） 20 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4746AE3
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管阻抗（Zz） 20 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 200 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4746AE3
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 20 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4746Ae3/TR13
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 50 mA、稳压管阻抗（Zz） 20 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4746Ae3/TR13
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 20 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4746AG
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 20 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
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