ADC0808S250HW/C1:1
NXP USA Inc.
- ADC0808S250HW/C1:5Renesas Electronics Corporation直接替代候选
技术资料参考
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Rectron
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 RS-25M-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersRectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 4.3 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A,采用 RS-25M 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersRectron
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 RS-25M-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersNXP Semiconductors
该型号为微处理器(MPU),主要参数包括指令类型 Floating Point、内核 ARM Cortex R52、原产国家或地区 中国、型号别名 935464629518。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPUNXP Semiconductors
该型号为微处理器(MPU),主要参数包括指令类型 Floating Point、内核 ARM Cortex R52、原产国家或地区 中国、型号别名 935464629557。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPUSemtech
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 2.5 kV、正向电流(If) 2 A、配置 Single、正向电压(Vf) 3.45 V、最大浪涌电流 80 A。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersDiotec Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流(If) 2 A、重复反向电压(Vrrm) 50 V、正向电压(Vf) 700 mV,采用 DO-213AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersTexas Instruments
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 2 Gb/s、输入类型 CML, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS,采用 TSSOP-38 封装。
半导体 > 集成电路 > Communication & Networking ICs > Analog & Digital Crosspoint ICsTexas Instruments
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 2 Gb/s、输入类型 CML, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS,采用 TSSOP-38 封装。
半导体 > 集成电路 > Communication & Networking ICs > Analog & Digital Crosspoint ICsTexas Instruments
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 2 Gb/s、输入类型 CML, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS,采用 TSSOP-38 封装。
半导体 > 集成电路 > Communication & Networking ICs > Analog & Digital Crosspoint ICs