原型号
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Renesas Electronics Corporation
- 7133LA20JG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
搜索结果
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 2 条候选ALD1703PAL
Advanced Linear Devices Inc.
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- OPA705PATexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选CAT6241-ADJHU2MUTAG
onsemi
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- TPS7A7002DDARTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 11 条候选LM4819MX/NOPB
Texas Instruments
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 12 条候选LM4900M/NOPB
Texas Instruments
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 8 条候选LT1800CS5#TRM
Analog Devices Inc.
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- OPA703NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 8 条候选LT1800IS5#TR
Analog Devices Inc.
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- OPA703NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 28 条候选MC34119D
NXP USA Inc.
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 44 条候选OPA704NA/250G4
Texas Instruments
- OPA704NA/250Texas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 1 条候选SLA7075MR
Sanken Electric USA Inc.
- SLA7075MPRTSanken Electric USA Inc.第三方标注：厂商推荐
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
SPC564A70L7COBR
STMicroelectronics
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUSPC564A70L7COBY
STMicroelectronics
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUSQA700CEJW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 9 A、漏源导通电阻（Rds On） 99 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSQJA70EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 14.7 A，采用 PowerPAK-SO-8L-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSQSA70CENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V、连续漏极电流（Id） 18 A，采用 PowerPAK-1212-8W-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSRDA70-4.TLT
Semtech
该型号为二极管，主要参数包括通道数 4 个通道、工作电压 70 V、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 85 V、峰值脉冲电流（Ipp） 24 A、二极管电容（Cd） 15 pF，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSSTA709A
STMicroelectronics
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、技术 硅、类型 Automotive Digital Output Tuner、最大工作温度 + 85 C，采用 VFQFPN-64 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF ReceiverSTA709ATR
STMicroelectronics
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、技术 硅、类型 Automotive Digital Output Tuner、最大工作温度 + 85 C，采用 VFQFPN-64 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF ReceiverSTWA70N60DM2
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 66 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSTWA70N60DM6
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 62 A、漏源导通电阻（Rds On） 42 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET