7133LA45J
Renesas Electronics Corporation
- 7133LA20JGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
26 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SBR30A45CTB-G | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| UX31451001 | Diodes Incorporated |
| 2025-06-16 | 查看资料 |
| SBR12A45SD1-T-01 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR30E45CT | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR30E45CTB | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR30E45CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR8A45SP5-13-2169 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| 7142LA45CM | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| SBR20A45CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR30A45CTB | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR30A45CTFP | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR30A45CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| KA4558 | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA4558DTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| ADA4505-1ACBZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4505-1ARJZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4505-2ACBZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4505-4ACBZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| CG7956AA | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG7956AAT | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG8084AA | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG9060AM | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG9060AMT | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ45XI | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ45XIT | Infineon |
| 查看资料 | |
| STPS1045HR | STMicroelectronics |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Renesas Electronics Corporation
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Analog Devices Inc.
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Diodes Incorporated
该型号为接口集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 1.71 V、电源电压(最大值) 1.89 V、工作电源电压 1.71~1.89 V、接口类型 I2C, USB、数据速率 20 Gb/s、类型 Linear Redriver,采用 WLGA-32 封装。
半导体 > Interface ICs > USB Interface ICDiodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 14 个通道、工作电源电压 1.8 V、供电类型 Single Supply、产品 eMMC/DDR Signal Switch、导通电阻(最大值) 4 Ω、带宽 2.8 GHz,采用 TFBGA-48 封装。
半导体 > Switch ICs > Multiplexer Switch ICsDiodes Incorporated
该型号为集成电路。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsNexperia
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 500 V、集电极-基极电压(VCBO) 500 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V、最大直流集电极电流 0.5 A,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTams OSRAM
该型号为传感器,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、商品名称 CHIPLED。
半导体 > Sensor ICs > Ambient Light SensorsQorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 4.4~5 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifier、增益 29.9 dB,采用 QFN-36 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 4.4~5 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifier、增益 29.9 dB,采用 QFN-36 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 24.2~26.5 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、增益 18 dB、1 dB 压缩点(P1dB) 31.5 dBm,采用 QFN-28 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 DC to 3.5 GHz、测试频率 2.4 GHz、技术 SiGe、类型 HBT MMIC Amplifier,采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括型号别名 QPA4563A。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier