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原厂资料

5 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
HX21333002Diodes Incorporated
  • HX2A333003
2024-06-25查看资料
KA339onsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料
KA339Aonsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料
KA339ADTFonsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料
KA339DTFonsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

115 个原型号
原型号

AD8515ARTZ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 20 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA333AMDBVREPTexas Instruments相似型号
原型号

AP2121AK-3.3TRG1-1

Diodes Incorporated

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  • XC6217A332MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号

BA33BC0WFP-E2

Rohm Semiconductor

查看详情 · 2 条候选
  • LD29080PT33RSTMicroelectronics相似型号
原型号

BA33BC0WT-V5

Rohm Semiconductor

查看详情 · 1 条候选
  • LT1963ET-3.3#06PBFAnalog Devices Inc.相似型号
原型号

INA332AIDGKRG4

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • INA332AIDGKRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

LD6806TD/33H,125

NXP USA Inc.

查看详情 · 10 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • XC6221A332MR-GTorex Semiconductor Ltd相似型号
原型号

LMV751M5X/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 6 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA337NA/250Texas Instruments相似型号
原型号

LP38691DT-3.3

Texas Instruments

查看详情 · 3 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

LP8340CDTX-3.3/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

MAX4074BJEUK-T

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

查看详情 · 14 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA337NA/250Texas Instruments相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

552 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

RFCA3306TR13

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 50 MHz to 1 GHz、测试频率 1 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 CATV Amplifier，采用 SOT-89-3 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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RFCA3310SR

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8.5 V、工作频率 50 MHz to 1000 MHz, 5 MHz to 200 MHz、测试频率 500 MHz、技术 GaAs、类型 High Linearity，采用 SOT-89-3 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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RFCA3310TR13

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8.5 V、工作频率 50 MHz to 1000 MHz, 5 MHz to 200 MHz、测试频率 500 MHz、技术 GaAs、类型 High Linearity，采用 SOT-89-3 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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S-1002CA33I-M5T1U

ABLIC

主要参数包括电源电压（最大值） 10 V、电源电压（最小值） 0.95 V、类型 Voltage Detectors、输出类型 Active Low, CMOS、阈值电压 3.3 V、监控输入数 1 Input，采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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S-1002NA33I-M5T1U

ABLIC

主要参数包括电源电压（最大值） 10 V、电源电压（最小值） 0.95 V、类型 Voltage Detectors、输出类型 Active Low, Open Drain、阈值电压 3.3 V、监控输入数 1 Input，采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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S-1003CA33I-I6T1U

ABLIC

主要参数包括类型 Voltage Detectors，采用 SNT-6A-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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S-1003CA33I-M5T1U

ABLIC

主要参数包括类型 Voltage Detectors、单件重量 0.003951 oz，采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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S-1003NA33I-I6T1U

ABLIC

主要参数包括类型 Voltage Detectors，采用 SNT-6A-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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S-1003NA33I-M5T1U

ABLIC

主要参数包括类型 Voltage Detectors、单件重量 0.003951 oz，采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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S-1004NA33I-I6T1U

ABLIC

主要参数包括电源电压（最大值） 10 V、电源电压（最小值） 0.95 V、类型 Voltage Detectors、输出类型 Active Low, Open Drain、阈值电压 3.3 V、监控输入数 1 Input，采用 SNT-6A-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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