原型号
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Analog Devices Inc.
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第三方参考
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原型号
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Analog Devices Inc.
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原型号
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Analog Devices Inc.
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原型号
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Analog Devices Inc.
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原型号
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Renesas Electronics Corporation
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原型号
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Renesas Electronics Corporation
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原型号
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Renesas Electronics Corporation
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- OPA2674IDRTexas Instruments相似型号
原型号
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Texas Instruments
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原型号
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Microchip Technology
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原型号
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Texas Instruments
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
TGA2622-SM
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 9～10 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、增益 30 dB，采用 QFN-22 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2622-SMTR7
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 9～10 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 290 mA，采用 QFN-22 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2623
Qorvo
主要参数包括型号别名 1110602。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2623-CP
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 10～11 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、增益 30 dB，采用 15.2 mm x 15.2 mm x 3.5 mm 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2624
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 9～10 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 38 dBm，采用 5 mm x 2.62 mm x 0.1 mm 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2624-CP
Qorvo
主要参数包括型号别名 1116370。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2624-SM
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 9～10 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、增益 34 dB，采用 QFN-22 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2625
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 10～11 GHz、技术 GaN SiC、类型 GaN Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 40 dBm，采用 5 mm x 2.62 mm x 0.1 mm 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2625-CP
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 10～11 GHz、技术 GaN SiC、类型 GaN Power Amplifier、增益 36 dB，采用 15.2 mm x 15.2 mm x 3.5 mm 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTISP4A265H3BJR-S
Bourns
主要参数包括转折电压（VBO） - 265 V, 125 V、最大转折电流（IBO） 600 mA、非重复通态电流 55 A, 60 A、额定重复断态电压（VDRM） - 200 V, 100 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、最大维持电流（Ih） 600 mA，采用 DO-214AA-2 封装。
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